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高效單晶圓棒是采用直拉法制備的<100>晶向的單晶,主要用于制備低衰減高轉換效率的太陽能電池。高效單晶經過裝料-合爐-化料-調溫-穩溫-引晶-放肩-轉肩-等徑-收尾-停爐等工序而制備得到的高純度、高壽命、低成本、晶體結構趨近**的單晶圓棒。參數如下:
| 序號 | 項目 | 規格 | 檢測方式 | 
| Material Propeties 材料特性 | |||
| 1 | Growth Method | Czochralski (CZ) | - | 
| 2 | Dopant | Boron doped | - | 
| 3 | Type | P-Type | Napson EC-80TPN | 
| 4 | Oxygen content | ≤8.0×1017 atoms/cm3 | FTIR(ASTM F121-83) | 
| 5 | Carbon content | ≤5.0×1016 atoms/cm3 | FTIR(ASTM F123-91) | 
| 6 | Surface orientation | ﹤100﹥±3o | X-ray Diffraction Method | 
| 8 | Dislocation Density | ≤500 pcs/cm2 | Preferential Etch Techniques(ASTM F47-88) | 
| Electrical Propeties 電學特性 | |||
| 1 | Resistivity | ■ 0.5-1.5 Ω·cm □ 1.0-3.0 Ω·cm | 4-probe resistivity measurement | 
| 2 | Silicon rod minority lifetime | ≥50us | Sinton BCT-400(SEMI PV13) | 
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